Samsung обвинили в краже патентов на технологию FinFET транзисторов

С декабря 2016 года в Федеральном суде Далласа, штат Техас, шло рассмотрение дела о незаконном использовании компанией Samsung Electronics патентов на технологию транзисторов с вертикальными затворами FinFET. В конце прошлой недели, как сообщает информагентство Bloomberg, суд присяжных вынес против компании обвинительный приговор, обязав заплатить истцу $400 млн. В Samsung считают приговор несправедливым и будут подавать апелляцию. Иск против Samsung подал американский филиал KAIST IP одноимённого...

Источник: http://pcnews.ru/feeds/latest/news/

Имя

E-mail

Телефон

Тема

Комментарий

Оценка

Контрольные цифры ^*

Показать другое число

Введите число, которое указано выше.